EGL41BHE3_A/H - DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
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Hersteller
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für EGL41BHE3_A/H
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
EGL41BHE3_A/H
Hersteller :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
Serie :
Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Teilestatus :
Active
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
1V @ 1A
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
50ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
5µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F :
20pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
DO-213AB, MELF (Glass)
Supplier Device Package :
DO-213AB
Betriebstemperatur - Übergang :
-65°C ~ 175°C
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für EGL41BHE3_A/H
Datenblätter :
EGL41BHE3_A/H.pdf
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