MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR - IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA

Hersteller Teilenummer

MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR

Interne Teilenummer

AX-MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR

Hersteller

Micron Technology Inc.

Kurze Beschreibung

IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

66505 Pieces

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Technische Daten für MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR

Hersteller : Micron Technology Inc.

Beschreibung : IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

Speichertyp : Volatile

Speicherformat : DRAM

Technologie : SDRAM - Mobile LPDDR4

Speichergröße : 8Gb (256M x 32)

Taktfrequenz : 1600MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite : -

Zugriffszeit : -

Speicherschnittstelle : -

Spannungsversorgung : 1.1V

Betriebstemperatur : -30°C ~ 85°C (TC)

Befestigungsart : -

Paket / fall : -

Supplier Device Package : -

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : MT53B256M3 , MT53B256M32D1GZ

Dokumente für MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR

Datenblätter : MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR.pdf

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Artikelnummer	Marke	Beschreibung
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GRM0335C1H5R9DD01D	Murata Electronics North America	CAP CER 5.9PF 50V NP0 0201.
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WF125405WJ10338BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 14KV SCREW.
WF125300BH10338BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 10KV SCREW.
WI106266WP40236BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 4000PF 20KV SCREW.
MC04YC223KAA	AVX Corporation	CAP CER 0.022UF 16V X7R AXIAL.
WX095162WJ15236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1500PF 14KV SCREW.
WF165380WQ75238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
PZ0140WL10138CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 100PF 16KV DISK.
WF095220WF50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 12KV SCREW.