AS4C64M16D1-6TIN - IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II
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Kurze Beschreibung
IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für AS4C64M16D1-6TIN
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : AS4C64M16D1-6TIN
Hersteller : Alliance Memory, Inc.
Beschreibung : IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II
Serie : -
Teilestatus : Active
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : DRAM
Technologie : SDRAM - DDR
Speichergröße : 1Gb (64M x 16)
Taktfrequenz : 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 15ns
Zugriffszeit : 700ps
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 2.3V ~ 2.7V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Supplier Device Package : 66-TSOP II
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für AS4C64M16D1-6TIN
Datenblätter : AS4C64M16D1-6TIN.pdf
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