FDC8602 - MOSFET 2N-CH 100V 1.2A 6-SSOT

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MOSFET 2N-CH 100V 1.2A 6-SSOT
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Technische Daten für FDC8602

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FDC8602
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 100V 1.2A 6-SSOT
Serie : PowerTrench®
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 350 mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 2nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 70pF @ 50V
Leistung max : 690mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package : SuperSOT™-6
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für FDC8602

Datenblätter : FDC8602.pdf

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