IXTA180N10T7 - MOSFET N-CH 100V 180A TO-263-7

Hersteller Teilenummer

IXTA180N10T7

Interne Teilenummer

AX-IXTA180N10T7

Hersteller

IXYS

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 180A TO-263-7

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

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Technische Daten für IXTA180N10T7

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IXTA180N10T7

Hersteller : IXYS

Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 180A TO-263-7

Serie : TrenchMV™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 180A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.4 mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 151nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 6900pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 480W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : TO-263-7 (IXTA..7)

Paket / fall : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für IXTA180N10T7

Datenblätter : IXTA180N10T7.pdf

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