IXTA180N10T7 - MOSFET N-CH 100V 180A TO-263-7
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-IXTA180N10T7
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 180A TO-263-7
RoHS-Status
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Technische Daten für IXTA180N10T7
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
IXTA180N10T7
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 180A TO-263-7
Serie :
TrenchMV™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
180A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.4 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
151nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
6900pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
480W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-263-7 (IXTA..7)
Paket / fall :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für IXTA180N10T7
Datenblätter :
IXTA180N10T7.pdf
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