K4F2E3S4HM-MHCJ - 12 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production
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12 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production
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Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : K4F2E3S4HM-MHCJ
Hersteller : Samsung Semiconductor
Beschreibung : 12 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production
Serie : DDR3
Dichte : 12 Gb
Org. : x32
Geschwindigkeit : 3733 Mbps
Stromspannung : 1.8 / 1.1 / 1.1 V
Temp. : -40 ~ 105 °C
Paket : 200FBGA
Produckstatus : Mass Production
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für K4F2E3S4HM-MHCJ
Datenblätter : K4F2E3S4HM-MHCJ.pdf
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