DMN1029UFDB-7 - MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
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Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für DMN1029UFDB-7
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
DMN1029UFDB-7
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
5.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
29 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
19.6nC @ 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
914pF @ 6V
Leistung max :
1.4W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
6-UDFN Exposed Pad
Supplier Device Package :
U-DFN2020-6 (Type B)
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für DMN1029UFDB-7
Datenblätter :
DMN1029UFDB-7.pdf
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