CSD86356Q5D - 25V POWERBLOCK N CH MOSFET

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25V POWERBLOCK N CH MOSFET
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Technische Daten für CSD86356Q5D

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : CSD86356Q5D
Hersteller : Texas Instruments
Beschreibung : 25V POWERBLOCK N CH MOSFET
Serie : NexFET™
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion : Logic Level Gate, 5V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 mOhm @ 20A, 5V, 0.8 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1.04nF @ 12.5V, 2.51nF @ 12.5V
Leistung max : 12W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-PowerTDFN
Supplier Device Package : 8-VSON-CLIP (5x6)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Datenblätter : CSD86356Q5D.pdf

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