IRF60R217 - MOSFET N-CH 60V 58A

Hersteller Teilenummer

IRF60R217

Interne Teilenummer

AX-IRF60R217

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 58A

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

605630 Pieces

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Technische Daten für IRF60R217

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IRF60R217

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 58A

Serie : StrongIRFET™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 58A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.9 mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.7V @ 50µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 66nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2170pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 83W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : D-Pak

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für IRF60R217

Datenblätter : IRF60R217.pdf

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