IPD75N04S406ATMA1 - MOSFET N-CH 40V 75A TO252-3-313

Hersteller Teilenummer

IPD75N04S406ATMA1

Interne Teilenummer

AX-IPD75N04S406ATMA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 40V 75A TO252-3-313

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

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Technische Daten für IPD75N04S406ATMA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IPD75N04S406ATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 40V 75A TO252-3-313

Serie : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 40V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 75A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.9 mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 26µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 32nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2550pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 58W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PG-TO252-3-313

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IPD75 , IPD75N04

Dokumente für IPD75N04S406ATMA1

Datenblätter : IPD75N04S406ATMA1.pdf

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