NDS356AP - MOSFET P-CH 30V 1.1A SSOT3

Hersteller Teilenummer

NDS356AP

Interne Teilenummer

AX-NDS356AP

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CH 30V 1.1A SSOT3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

2987515 Pieces

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Technische Daten für NDS356AP

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : NDS356AP

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET P-CH 30V 1.1A SSOT3

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.1A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 200 mOhm @ 1.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 4.4nC @ 5V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 280pF @ 10V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 500mW (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : SuperSOT-3

Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für NDS356AP

Datenblätter : NDS356AP.pdf

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Artikelnummer	Marke	Beschreibung
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