DTD513ZMT2L - TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

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TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
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Technische Daten für DTD513ZMT2L

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : DTD513ZMT2L
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
Serie : -
Teilestatus : Active
Transistortyp : NPN - Pre-Biased
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 500mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 12V
Widerstand - Basis (R1) : 1 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) : 10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce : 140 @ 100mA, 2V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic : 300mV @ 5mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 500nA
Frequenz - Übergang : 260MHz
Leistung max : 150mW
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SOT-723
Supplier Device Package : VMT3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für DTD513ZMT2L

Datenblätter : DTD513ZMT2L.pdf

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