IRF9Z10PBF - MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB

Hersteller Teilenummer

IRF9Z10PBF

Interne Teilenummer

AX-IRF9Z10PBF

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

251395 Pieces

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Technische Daten für IRF9Z10PBF

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IRF9Z10PBF

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6.7A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 500 mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 270pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 43W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220AB

Paket / fall : TO-220-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IRF , IRF9Z

Dokumente für IRF9Z10PBF

Datenblätter : IRF9Z10PBF.pdf

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