IRF9389TRPBF - MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO

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MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO
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Technische Daten für IRF9389TRPBF

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IRF9389TRPBF
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N and P-Channel
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6.8A, 4.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 27 mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 10µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 398pF @ 15V
Leistung max : 2W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package : 8-SO
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : IRF9 , IRF938

Dokumente für IRF9389TRPBF

Datenblätter : IRF9389TRPBF.pdf

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