APTM120DA30CT1G - MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
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Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
17864 Pieces
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Technische Daten für APTM120DA30CT1G
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
APTM120DA30CT1G
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
Serie :
POWER MOS 8™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
31A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
360 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 2.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
560nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
14560pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
657W (Tc)
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Supplier Device Package :
SP1
Paket / fall :
SP1
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für APTM120DA30CT1G
Datenblätter :
APTM120DA30CT1G.pdf
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