ALD110908APAL - MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
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Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
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Technische Daten für ALD110908APAL
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : ALD110908APAL
Hersteller : Advanced Linear Devices Inc.
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
Serie : EPAD®
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 10.6V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 12mA, 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 500 Ohm @ 4.8V
Vgs (th) (Max) @ Id : 810mV @ 1µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2.5pF @ 5V
Leistung max : 500mW
Betriebstemperatur : 0°C ~ 70°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Supplier Device Package : 8-PDIP
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für ALD110908APAL
Datenblätter : ALD110908APAL.pdf
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