ALD110908APAL - MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
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Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
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Technische Daten für ALD110908APAL
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
ALD110908APAL
Hersteller :
Advanced Linear Devices Inc.
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
Serie :
EPAD®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
10.6V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
12mA, 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
500 Ohm @ 4.8V
Vgs (th) (Max) @ Id :
810mV @ 1µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2.5pF @ 5V
Leistung max :
500mW
Betriebstemperatur :
0°C ~ 70°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Supplier Device Package :
8-PDIP
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für ALD110908APAL
Datenblätter :
ALD110908APAL.pdf
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