RUF025N02TL - MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3

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MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3
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Technische Daten für RUF025N02TL

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : RUF025N02TL
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 54 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.3V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 5nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 370pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 320mW (Ta)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TUMT3
Paket / fall : 3-SMD, Flat Leads
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für RUF025N02TL

Datenblätter : RUF025N02TL.pdf

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