IPB029N06N3GE8187ATMA1 - MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Hersteller Teilenummer

IPB029N06N3GE8187ATMA1

Interne Teilenummer

AX-IPB029N06N3GE8187ATMA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

438215 Pieces

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Technische Daten für IPB029N06N3GE8187ATMA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IPB029N06N3GE8187ATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Serie : OptiMOS™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 120A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.2 mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 118µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 165nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 13000pF @ 30V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 188W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : D²PAK (TO-263AB)

Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IPB029N , IPB029N06N3

Dokumente für IPB029N06N3GE8187ATMA1

Datenblätter : IPB029N06N3GE8187ATMA1.pdf

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