NE3515S02-T1C-A - FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
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Kurze Beschreibung
FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
RoHS-Status
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Technische Daten für NE3515S02-T1C-A
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : NE3515S02-T1C-A
Hersteller : CEL
Beschreibung : FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
Transistortyp : HFET
Frequenz : 12GHz
Gewinnen : 12.5dB
Spannungs - Test : 2V
Aktuelle Bewertung : 88mA
Rauschzahl : 0.3dB
Aktueller Test : 10mA
Leistung : 14dBm
Spannung - bewertet : 4V
Paket / fall : 4-SMD, Flat Leads
Supplier Device Package : S02
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für NE3515S02-T1C-A
Datenblätter : NE3515S02-T1C-A.pdf
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