SI2316DS-T1-E3 - MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
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MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
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Technische Daten für SI2316DS-T1-E3
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
SI2316DS-T1-E3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
800mV @ 250µA (Min)
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
7nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
215pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
700mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
SOT-23-3 (TO-236)
Paket / fall :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für SI2316DS-T1-E3
Datenblätter :
SI2316DS-T1-E3.pdf
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