BSC011N03LSATMA1 - MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON

Hersteller Teilenummer

BSC011N03LSATMA1

Interne Teilenummer

AX-BSC011N03LSATMA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

595540 Pieces

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Technische Daten für BSC011N03LSATMA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : BSC011N03LSATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON

Serie : OptiMOS™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 37A (Ta), 100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.1 mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 72nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4700pF @ 15V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 2.5W (Ta), 96W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PG-TDSON-8

Paket / fall : 8-PowerTDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : BSC01 , BSC011N0

Dokumente für BSC011N03LSATMA1

Datenblätter : BSC011N03LSATMA1.pdf

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