BSZ036NE2LSATMA1 - MOSFET N-CH 25V 16A TSDSON-8
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Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 16A TSDSON-8
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1278480 Pieces
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Technische Daten für BSZ036NE2LSATMA1
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
BSZ036NE2LSATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 25V 16A TSDSON-8
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
16A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
16nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1200pF @ 12V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.1W (Ta), 37W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TSDSON-8-FL
Paket / fall :
8-PowerTDFN
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für BSZ036NE2LSATMA1
Datenblätter :
BSZ036NE2LSATMA1.pdf
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