NVGS5120PT1G - MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP

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MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
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Technische Daten für NVGS5120PT1G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : NVGS5120PT1G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 111 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 18.1nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 942pF @ 30V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 600mW (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 6-TSOP
Paket / fall : SOT-23-6
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für NVGS5120PT1G

Datenblätter : NVGS5120PT1G.pdf

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