SISS27DN-T1-GE3 - MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S

Hersteller Teilenummer

SISS27DN-T1-GE3

Interne Teilenummer

AX-SISS27DN-T1-GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

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Technische Daten für SISS27DN-T1-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SISS27DN-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S

Serie : TrenchFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 50A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.6 mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 140nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 5250pF @ 15V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 4.8W (Ta), 57W (Tc)

Betriebstemperatur : -50°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)

Paket / fall : 8-PowerVDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SISS2 , SISS27D

Dokumente für SISS27DN-T1-GE3

Datenblätter : SISS27DN-T1-GE3.pdf

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WF165336WQ75238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
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WI140316WQ75236BJ3	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
GRM0225C1E5R6DDAEL	Murata Electronics North America	CAP CER 5.6PF 25V C0G/NP0 01005.