STFI260N6F6 - MOSFET N-CH 60V 80A I2PAKFP

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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 80A I2PAKFP
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für STFI260N6F6

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : STFI260N6F6
Hersteller : STMicroelectronics
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 80A I2PAKFP
Serie : DeepGATE™, STripFET™ VI
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 183nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 11400pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 41.7W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : I2PAKFP (TO-281)
Paket / fall : TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Datenblätter : STFI260N6F6.pdf

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