NSVMUN5212DW1T1G - TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
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Kurze Beschreibung
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
6319010 Pieces
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Technische Daten für NSVMUN5212DW1T1G
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
NSVMUN5212DW1T1G
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Transistortyp :
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
100mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
50V
Widerstand - Basis (R1) :
22 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) :
22 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce :
60 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic :
250mV @ 300µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
500nA
Frequenz - Übergang :
-
Leistung max :
250mW
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package :
SC-88/SC70-6/SOT-363
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für NSVMUN5212DW1T1G
Datenblätter :
NSVMUN5212DW1T1G.pdf
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