NSVMUN5212DW1T1G - TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

Hersteller Teilenummer

NSVMUN5212DW1T1G

Interne Teilenummer

AX-NSVMUN5212DW1T1G

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

6319010 Pieces

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Technische Daten für NSVMUN5212DW1T1G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : NSVMUN5212DW1T1G

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

Serie : -

Teilestatus : Active

Transistortyp : 2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Stromabnehmer (Ic) (max.) : 100mA

Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 50V

Widerstand - Basis (R1) : 22 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2) : 22 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce : 60 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic : 250mV @ 300µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 500nA

Frequenz - Übergang : -

Leistung max : 250mW

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Supplier Device Package : SC-88/SC70-6/SOT-363

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : NSVMU , NSVMUN52

Dokumente für NSVMUN5212DW1T1G

Datenblätter : NSVMUN5212DW1T1G.pdf

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