DMN63D8LDW-7 - MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

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MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
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Technische Daten für DMN63D8LDW-7

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : DMN63D8LDW-7
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 220mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.8 Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 870nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 22pF @ 25V
Leistung max : 300mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package : SOT-363
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für DMN63D8LDW-7

Datenblätter : DMN63D8LDW-7.pdf

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