IRFH5215TR2PBF - MOSFET N-CH 150V 5.0A PQFN
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 5.0A PQFN
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für IRFH5215TR2PBF
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
IRFH5215TR2PBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 150V 5.0A PQFN
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
150V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
5A (Ta), 27A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
58 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
32nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1350pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3.6W (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PQFN (5x6)
Paket / fall :
8-VQFN Exposed Pad
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für IRFH5215TR2PBF
Datenblätter :
IRFH5215TR2PBF.pdf
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