SI8472DB-T2-E1 - MOSFET N-CH 20V 3.3A MICRO

Hersteller Teilenummer

SI8472DB-T2-E1

Interne Teilenummer

AX-SI8472DB-T2-E1

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 3.3A MICRO

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

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Technische Daten für SI8472DB-T2-E1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SI8472DB-T2-E1

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 3.3A MICRO

Serie : TrenchFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : -

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 44 mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 8V

Vgs (Max) : ±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 630pF @ 10V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 780mW (Ta), 1.8W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 4-Micro Foot (1x1)

Paket / fall : 4-UFBGA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für SI8472DB-T2-E1

Datenblätter : SI8472DB-T2-E1.pdf

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