JAN1N5809US - DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-JAN1N5809US
Hersteller
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
53292 Pieces
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Technische Daten für JAN1N5809US
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
JAN1N5809US
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF
Serie :
Military, MIL-PRF-19500/477
Teilestatus :
Active
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
6A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
875mV @ 4A
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
30ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
5µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F :
60pF @ 10V, 1MHz
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
SQ-MELF, B
Supplier Device Package :
B, SQ-MELF
Betriebstemperatur - Übergang :
-65°C ~ 175°C
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für JAN1N5809US
Datenblätter :
JAN1N5809US.pdf
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