JAN1N5809US - DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-JAN1N5809US
Hersteller
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
53292 Pieces
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Technische Daten für JAN1N5809US
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : JAN1N5809US
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF
Serie : Military, MIL-PRF-19500/477
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 6A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 875mV @ 4A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 30ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F : 60pF @ 10V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SQ-MELF, B
Supplier Device Package : B, SQ-MELF
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für JAN1N5809US
Datenblätter : JAN1N5809US.pdf
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