BYV30JT-600PQ - DIODE GEN PURP 600V 30A TO-3P
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Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 30A TO-3P
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
26565 Pieces
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Technische Daten für BYV30JT-600PQ
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : BYV30JT-600PQ
Hersteller : WeEn Semiconductors
Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 30A TO-3P
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 30A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.8V @ 30A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 65ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-3P-3, SC-65-3
Supplier Device Package : TO-3P
Betriebstemperatur - Übergang : 175°C (Max)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für BYV30JT-600PQ
Datenblätter : BYV30JT-600PQ.pdf
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