IXFB82N60Q3 - MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264

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MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264
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Technische Daten für IXFB82N60Q3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IXFB82N60Q3
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264
Serie : HiPerFET™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 82A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 75 mOhm @ 41A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 8mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 275nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 13500pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1560W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : PLUS264™
Paket / fall : TO-264-3, TO-264AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für IXFB82N60Q3

Datenblätter : IXFB82N60Q3.pdf

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