IPB073N15N5ATMA1 - MV POWER MOS

Hersteller Teilenummer

IPB073N15N5ATMA1

Interne Teilenummer

AX-IPB073N15N5ATMA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MV POWER MOS

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

189370 Pieces

Referenzpreis

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Technische Daten für IPB073N15N5ATMA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IPB073N15N5ATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MV POWER MOS

Serie : OptiMOS™-5

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 150V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 114A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 8V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.3 mOhm @ 57A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.6V @ 160µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 61nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4700pF @ 75V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 214W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PG-TO263-3-2

Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IPB07 , IPB073N1

Dokumente für IPB073N15N5ATMA1

Datenblätter : IPB073N15N5ATMA1.pdf

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