RD3T050CNTL1 - NCH 200V 5A POWER MOSFET

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Hersteller
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NCH 200V 5A POWER MOSFET
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Technische Daten für RD3T050CNTL1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : RD3T050CNTL1
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : NCH 200V 5A POWER MOSFET
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 760 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.25V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 8.3nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 330pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 29W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TO-252
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : RD3T , RD3T05

Dokumente für RD3T050CNTL1

Datenblätter : RD3T050CNTL1.pdf

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