IRLBD59N04ETRLP - MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5

Hersteller Teilenummer

IRLBD59N04ETRLP

Interne Teilenummer

AX-IRLBD59N04ETRLP

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

66020 Pieces

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Technische Daten für IRLBD59N04ETRLP

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IRLBD59N04ETRLP

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5

Serie : HEXFET®

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 40V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 59A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 50nC @ 5V

Vgs (Max) : ±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2190pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 130W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : TO-263-5

Paket / fall : TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IRLBD , IRLBD59

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Datenblätter : IRLBD59N04ETRLP.pdf

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