IXTA160N10T7 - MOSFET N-CH 100V 160A TO-263-7

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MOSFET N-CH 100V 160A TO-263-7
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Technische Daten für IXTA160N10T7

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IXTA160N10T7
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 160A TO-263-7
Serie : TrenchMV™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 160A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 132nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 6600pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 430W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TO-263-7 (IXTA..7)
Paket / fall : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für IXTA160N10T7

Datenblätter : IXTA160N10T7.pdf

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