RD0306T-H - DIODE GEN PURP 600V 3A TP

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DIODE GEN PURP 600V 3A TP
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für RD0306T-H

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : RD0306T-H
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 3A TP
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.5V @ 3A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 50ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Supplier Device Package : TP
Betriebstemperatur - Übergang : 150°C (Max)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für RD0306T-H

Datenblätter : RD0306T-H.pdf

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