IPZ40N04S5L2R8ATMA1 - MOSFET N-CH 8TDSON

Hersteller Teilenummer

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Interne Teilenummer

AX-IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 8TDSON

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

748870 Pieces

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Technische Daten für IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 8TDSON

Serie : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 40V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 40A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.8 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 30µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 52nC @ 10V

Vgs (Max) : ±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2800pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 71W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PG-TSDSON-8

Paket / fall : 8-PowerVDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IPZ40N , IPZ40N04S

Dokumente für IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Datenblätter : IPZ40N04S5L2R8ATMA1.pdf

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