MBR20030CTR - DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER

Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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USD 42.5436
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Technische Daten für MBR20030CTR

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : MBR20030CTR
Hersteller : GeneSiC Semiconductor
Beschreibung : DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodenkonfiguration : 1 Pair Common Anode
Diodentyp : Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 30V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) : 200A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 650mV @ 100A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5mA @ 20V
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Twin Tower
Supplier Device Package : Twin Tower
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für MBR20030CTR

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