FDZ209N - MOSFET N-CH 60V 4A 12-BGA

Hersteller Teilenummer

FDZ209N

Interne Teilenummer

AX-FDZ209N

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 4A 12-BGA

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

65415 Pieces

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Technische Daten für FDZ209N

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FDZ209N

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 4A 12-BGA

Serie : PowerTrench®

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 4A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 9nC @ 5V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 657pF @ 30V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 2W (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 12-BGA (2x2.5)

Paket / fall : 12-WFBGA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : FDZ209N.pdf

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