AS4C8M16S-6BIN - IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA
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Kurze Beschreibung
IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
62805 Pieces
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Technische Daten für AS4C8M16S-6BIN
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
AS4C8M16S-6BIN
Hersteller :
Alliance Memory, Inc.
Beschreibung :
IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
Speichertyp :
Volatile
Speicherformat :
DRAM
Technologie :
SDRAM
Speichergröße :
128Mb (8M x 16)
Taktfrequenz :
166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite :
2ns
Zugriffszeit :
5ns
Speicherschnittstelle :
Parallel
Spannungsversorgung :
3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
54-TFBGA
Supplier Device Package :
54-TFBGA (8x8)
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für AS4C8M16S-6BIN
Datenblätter :
AS4C8M16S-6BIN.pdf
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