R6020KNZ1C9 - NCH 600V 20A POWER MOSFET

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NCH 600V 20A POWER MOSFET
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für R6020KNZ1C9

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : R6020KNZ1C9
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : NCH 600V 20A POWER MOSFET
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 20A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 196 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 40nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1550pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 231W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-247
Paket / fall : TO-247-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für R6020KNZ1C9

Datenblätter : R6020KNZ1C9.pdf

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