SI8429DB-T1-E1 - MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP
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MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP
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Technische Daten für SI8429DB-T1-E1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SI8429DB-T1-E1
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 8V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 11.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 26nC @ 5V
Vgs (Max) : ±5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1640pF @ 4V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.77W (Ta), 6.25W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 4-Microfoot
Paket / fall : 4-XFBGA, CSPBGA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SI8429DB-T1-E1
Datenblätter : SI8429DB-T1-E1.pdf
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