SUD09P10-195-GE3 - MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK

Hersteller Teilenummer

SUD09P10-195-GE3

Interne Teilenummer

AX-SUD09P10-195-GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1140500 Pieces

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Technische Daten für SUD09P10-195-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SUD09P10-195-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK

Serie : TrenchFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 8.8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 195 mOhm @ 3.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 34.8nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1055pF @ 50V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 2.5W (Ta), 32.1W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : TO-252, (D-Pak)

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für SUD09P10-195-GE3

Datenblätter : SUD09P10-195-GE3.pdf

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