IXFN100N65X2 - MOSFET N-CH

Hersteller Teilenummer

IXFN100N65X2

Interne Teilenummer

AX-IXFN100N65X2

Hersteller

IXYS

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

30394 Pieces

Referenzpreis

~~USD 12.9204~~

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Technische Daten für IXFN100N65X2

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IXFN100N65X2

Hersteller : IXYS

Beschreibung : MOSFET N-CH

Serie : HiPerFET™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 78A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 4mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 183nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 10800pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 595W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Chassis Mount

Supplier Device Package : SOT-227B

Paket / fall : SOT-227-4, miniBLOC

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IXFN , IXFN10

Dokumente für IXFN100N65X2

Datenblätter : IXFN100N65X2.pdf

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Artikelnummer	Marke	Beschreibung
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12065C223KHT1A	AVX Corporation	CAP CER 0.022UF 50V X7R 1206.
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