VS-GB100TP120N - IGBT 1200V 200A 650W INT-A-PAK

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Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
IGBT 1200V 200A 650W INT-A-PAK
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Technische Daten für VS-GB100TP120N

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : VS-GB100TP120N
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : IGBT 1200V 200A 650W INT-A-PAK
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : -
Aufbau : Half Bridge
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 200A
Leistung max : 650W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.2V @ 15V, 100A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 7.43nF @ 25V
Eingang : Standard
NTC-Thermistor : No
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : INT-A-Pak
Supplier Device Package : INT-A-PAK
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : VS-G , VS-GB10

Dokumente für VS-GB100TP120N

Datenblätter : VS-GB100TP120N.pdf

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