IPT65R105G7XTMA1 - HIGH POWERNEW

Hersteller Teilenummer

IPT65R105G7XTMA1

Interne Teilenummer

AX-IPT65R105G7XTMA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

HIGH POWERNEW

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

144965 Pieces

Referenzpreis

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Technische Daten für IPT65R105G7XTMA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IPT65R105G7XTMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : HIGH POWERNEW

Serie : CoolMOS™ C7

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 24A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 105 mOhm @ 8.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 440µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1670pF @ 400V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 156W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PG-HSOF-8-2

Paket / fall : 8-PowerSFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IPT65 , IPT65R10

Dokumente für IPT65R105G7XTMA1

Datenblätter : IPT65R105G7XTMA1.pdf

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Artikelnummer	Marke	Beschreibung
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