SIR112DP-T1-RE3 - MOSFET N-CHAN 40V
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Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CHAN 40V
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für SIR112DP-T1-RE3
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
SIR112DP-T1-RE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CHAN 40V
Serie :
TrenchFET® Gen IV
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
37.6A (Ta), 133A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.96 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
89nC @ 10V
Vgs (Max) :
+20V, -16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4270pF @ 20V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
5W (Ta), 62.5W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PowerPAK® SO-8
Paket / fall :
PowerPAK® SO-8
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für SIR112DP-T1-RE3
Datenblätter :
SIR112DP-T1-RE3.pdf
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