IPD80R2K7C3AATMA1 - MOSFET N-CH TO252-3

Hersteller Teilenummer

IPD80R2K7C3AATMA1

Interne Teilenummer

AX-IPD80R2K7C3AATMA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH TO252-3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

626060 Pieces

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Technische Daten für IPD80R2K7C3AATMA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IPD80R2K7C3AATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH TO252-3

Serie : *

Teilestatus : Active

FET-Typ : -

Technologie : -

Drain-Source-Spannung (Vdss) : -

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : -

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : -

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : -

Betriebstemperatur : -

Befestigungsart : -

Supplier Device Package : -

Paket / fall : -

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IPD80 , IPD80R2K

Dokumente für IPD80R2K7C3AATMA1

Datenblätter : IPD80R2K7C3AATMA1.pdf

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