PHD18NQ10T,118 - MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für PHD18NQ10T,118
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : PHD18NQ10T,118
Hersteller : NXP USA Inc.
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
Serie : TrenchMOS™
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 18A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 633pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 79W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : DPAK
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für PHD18NQ10T,118
Datenblätter : PHD18NQ10T,118.pdf
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