PHD18NQ10T,118 - MOSFET N-CH 100V 18A DPAK

Hersteller Teilenummer

PHD18NQ10T,118

Interne Teilenummer

AX-PHD18NQ10T,118

Hersteller

NXP USA Inc.

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 18A DPAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

24619 Pieces

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Technische Daten für PHD18NQ10T,118

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : PHD18NQ10T,118

Hersteller : NXP USA Inc.

Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 18A DPAK

Serie : TrenchMOS™

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 18A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 633pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 79W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : DPAK

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : PHD18NQ10T,118.pdf

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